[发明专利]一种改进的晶圆减薄加工方法

说明书

技术领域

本发明属于LED芯片生产领域，尤其涉及一种改进的晶圆减薄加工方法。

背景技术

外延生产氮化镓层的过程中由于技术等原因造成晶圆边缘出现残留，在后续做芯片电极的过程中会导致晶圆边缘的厚度的偏高(如图1中晶圆边缘所示)，在对晶圆进行上蜡贴片时由于晶圆边缘偏厚以及晶圆本身存在的曲翘，蜡16会向外排挤沉积在晶圆边缘(如图2中开始打磨状态中显示的晶圆14)，晶圆减薄完成后将蜡清洗干净用千分表测量会发现晶圆边缘厚度偏低。在后续划裂加工过程中会导致晶圆出现乱裂现象，目前最常用的方法是将乱裂的芯粒进行吸除。

现有技术的方法不仅浪费了使用在乱裂的芯粒上的加工原料和加工工序，所述曲翘现象也会影响晶圆整体的减薄效果，使得整体的减薄结果不均匀。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种改进的晶圆减薄加工方法，以改进现有技术曲翘现象也会影响晶圆整体的减薄效果，使得整体的减薄结果不均匀的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种改进的晶圆减薄加工方法，所述方法包括以下步骤：

获得经过外延生长氮化镓层处理过的晶圆；获取晶圆的边缘的倒角度和晶圆面上各点的晶圆厚度；通过计算边缘上的多个晶圆厚度与中心晶圆厚度之间距离，确定所述距离超过阈值的一个或多个点；依据所述一个或多个点到晶圆边缘的经长距离和所述倒角度打磨所述晶圆的边缘，以便完成所述打磨的晶圆进行后续的减薄工序。

本发明实施例，通过对经过氮化镓层处理过的晶圆的边缘厚度检测，识别不满足厚度的区域，并结合晶圆边缘的倒角，将该超过厚度阈值的晶圆边缘打磨掉。从而保证了在后续的研磨工序中，不会因为蜡挤压厚度超过阈值的晶圆边缘引发晶圆的曲翘，使最终研磨出来晶圆厚度满足均匀要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明在背景技术中提供的晶圆边缘的厚度的偏高实物效果图；

图2是本发明实施例提供的现有技术中由于晶圆边缘厚度偏高造成的晶圆曲翘效果图；

图3是本发明实施例提供的一种改进的晶圆减薄加工方法流程图；

图4是本发明实施例提供的一种改进的晶圆减薄加工方法流程图；

图5是本发明实施例提供的一种改进的晶圆减薄加工方法流程图；

图6是本发明实施例提供的一种晶圆打磨区域设定的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

实施例一

如图3所示为本发明提供的一种改进的晶圆减薄加工方法的流程图，所述方法包括以下步骤：

在步骤202中，获得经过外延生长氮化镓层处理过的晶圆。

现有技术中，通常是将经过外延生长氮化镓层处理后的晶圆直接拿来作减薄工序，而本发明则是利用后续的步骤204-208来实现晶圆减薄加工的改进。倘若晶圆加工过程中，还有其他工序会产生如外延生长氮化镓层处理时产生类似的边缘厚度问题，也适用于本发明的方案。

在步骤204中，获取晶圆的边缘的倒角度和晶圆面上各点的晶圆厚度。

在优选的实现方式中，所述晶圆的边缘的倒角度在进行所述外延生长氮化镓层之前测量获得。

其中，测量手段包括：射线测厚仪、涡流测厚仪、磁性测厚仪、超声波测厚仪或机械测厚仪。由于本发明使用的是检测出来的晶圆面上各点的晶圆厚度，因此，通过本领域其他的检测仪器或者检测手段获得的厚度值也属于本发明的保护范围之内。

在步骤206中，通过计算边缘上的多个晶圆厚度与中心晶圆厚度之间距离，确定所述距离超过阈值的一个或多个点。

所述阈值根据晶圆的厚度和晶圆的大小来决定。经过发明人多次实验得到的结果，对于280*200微米LED芯片来说，所述阈值采用10微米最优。

在步骤208中，依据所述一个或多个点到晶圆边缘的经长距离和所述倒角度打磨所述晶圆的边缘，以便完成所述打磨的晶圆进行后续的减薄工序。