[发明专利]基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410658333.3 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104393035A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 毛维;佘伟波;李洋洋;杨翠;杜鸣;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/80 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、钝化层(9)和保护层(13)；源极与漏极之间的势垒层内刻有栅槽(7)，栅槽(7)内淀积有栅极(8)，栅极与漏极之间的钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)，钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有源场板(12)，该源场板与源极电气连接，源场板(12)与高介电常数介质(11)构成复合源场板。本发明具有制作工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 介质 调制 复合 源场板异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(9)和保护层(13)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)与漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层的厚度，在源极与漏极之间的势垒层内刻有栅槽(7)，在栅槽(7)内淀积有栅极(8)，其特征在于：钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)；钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有源场板(12)，该源场板(12)与源极(4)电气连接，且源场板(12)与高介电常数介质(11)构成复合源场板结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410658333.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
