[发明专利]衬底刻蚀方法

摘要

本发明提供一种衬底刻蚀方法，其包括以下步骤：S1.在衬底的表面制备一层采用特定材料制作的底膜；S2.在底膜上制备光刻胶掩膜；S3.采用纳米压印的方式在光刻胶掩膜上制备所需的图形；S4.除衬底表面未被光刻胶掩膜覆盖的区域上残留的光刻胶；S5.刻蚀底膜，以将光刻胶掩膜的图形复制在底膜上；S6.刻蚀衬底，以将光刻胶掩膜的图形复制在衬底上；其中，底膜用于在进行步骤S5时，降低光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。本发明提供的衬底刻蚀方法，其可以在保证获得理想的衬底图形形貌的前提下，提高图形的刻蚀高度。

主权项

一种衬底刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在所述衬底的表面制备一层采用特定材料制作的底膜；S2，在所述底膜上制备光刻胶掩膜；S3，采用纳米压印的方式在所述光刻胶掩膜上制备所需的图形；S4，去除所述衬底表面未被所述光刻胶掩膜覆盖的区域上残留的光刻胶；S5，刻蚀所述底膜，以将所述光刻胶掩膜的图形复制在所述底膜上；S6，刻蚀所述衬底，以将所述光刻胶掩膜的图形复制在所述衬底上；其中，所述底膜用于在进行所述步骤S5时，降低所述光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行所述步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。