[发明专利]具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片及其制作方法；解决的技术问题为：提供一种具有较高SERS活性、且可直接在微流道内制备纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片及其制作方法；采用的技术方案为：具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，芯片上设有至少一条微流道，微流道的一端设有至少一个样品池，各样品池均与微流道相连通但彼此之间不相连通，微流道的另一端设有至少一个废液池，各废液池均与微流道相连通但彼此之间不相连通，微流道上设有至少一个生长池，微流道均从每个生长池中穿过，生长池内设有至少一对具有尖端的第一电极，每一对中的两个第一电极距离最近的尖端上均具有贵金属的纳米枝晶结构；本发明适用于微流控芯片的技术领域。

主权项

具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，所述芯片上设有至少一条微流道（1），其特征在于：所述微流道（1）的一端设有至少一个样品池（2），各样品池（2）均与微流道（1）相连通但彼此之间不相连通，所述微流道（1）的另一端设有至少一个废液池（3），各废液池（3）均与微流道（1）相连通但彼此之间不相连通，所述微流道（1）上设有至少一个生长池（4），微流道（1）均从每个生长池（4）中穿过，所述生长池（4）内设有至少一对具有尖端的第一电极（5），每一对中的两个第一电极（5）距离最近的尖端上均具有贵金属的纳米枝晶结构。