[发明专利]具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片及其制作方法

权利要求书

1.具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，所述芯片上设有至少一条微流道（1），其特征在于：所述微流道（1）的一端设有至少一个样品池（2），各样品池（2）均与微流道（1）相连通但彼此之间不相连通，所述微流道（1）的另一端设有至少一个废液池（3），各废液池（3）均与微流道（1）相连通但彼此之间不相连通，所述微流道（1）上设有至少一个生长池（4），微流道（1）均从每个生长池（4）中穿过，所述生长池（4）内设有至少一对具有尖端的第一电极（5），每一对中的两个第一电极（5）距离最近的尖端上均具有贵金属的纳米枝晶结构。

2.根据权利要求1所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，其特征在于：所述微流道（1）内设有至少一个第二电极（6）。

3.根据权利要求1所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，其特征在于：所述每一对中的两个第一电极（5）距离最近的尖端之间的距离为5μm~30μm。

4.根据权利要求1所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，其特征在于：所述的贵金属为金、铂或钯。

5.根据权利要求2所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，其特征在于：所述芯片包括：键合在一起的基底（7）和基片（8），所述第一电极（5）和第二电极（6）均设置于所述基底（7）上，所述微流道（1）、样品池（2）、废液池（3）和生长池（4）均设置于所述基片（8）上。

6.根据权利要求5所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，其特征在于：所述基底（7）为绝缘硅材料。

7.根据权利要求5所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片，其特征在于：所述基片（8）为固化型聚合物，或为热塑性聚合物或为溶剂挥发型聚合物。

8.如权利要求1至7中任一所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）利用MEMS工艺，在基片（8）上制作微流道（1）、样品池（2）、废液池（3）和生长池（4），在基底上制作第一电极（5）、第二电极（6），通过键合工艺，将基底（7）和基片（8）组合成整体；

2）将含有贵金属的电解液滴入生长池（4）中，在每一对第一电极（5）之间通交流电，以在两个第一电极（5）距离最近的尖端上生长形成贵金属的纳米枝晶结构；

3）贵金属纳米枝晶结构形成后，在样品池（2）内加入去离子水，在每两个第二电极（6）之间或者第二电极（6）和第一电极（5）之间施加电压，使得样品池（2）内的去离子水流动以冲洗微流道（1）。

9.根据权利要求8所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片的制作方法，其特征在于：步骤2）中，含有贵金属的电解液为离子溶液或者络合物溶液。

10.根据权利要求8所述的具有纳米枝晶拉曼基底的微流控芯片的制作方法，其特征在于：步骤2）中，在每一对第一电极（5）之间施加的交流电的幅值大于3V，频率值位于1kHz和10MHz之间。