[发明专利]晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法有效
申请号: | 201410654598.6 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104409393B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 李全宝;刘斌;江旻;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法,晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔,通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动,并经过排气通道沿外腔排出,从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动,减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度,避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物;并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块,使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开,进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度,避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷,提高了铜互连的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 净化 装置 刻蚀 机台 大马士革 方法 | ||
【主权项】:
一种金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台,包括:用于对晶圆进行大马士革刻蚀工艺的多个工艺腔,连接于多个所述工艺腔之间的传送腔,传送装置,其通过所述传送腔将所述晶圆在多个所述工艺腔之间进行搬运,以及用于存储晶圆的存储腔,其连接于所述传送腔的一端;其特征在于,还包括晶圆净化装置,所述晶圆净化装置位于所述存储腔的一端;所述晶圆净化装置包括:内腔,用于装载晶圆;多层晶圆卡块,在竖直方向上以一定的间隔分布于所述内腔的内侧壁上,其用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布;刻蚀工艺中,所采用的功率、剂量大,则所设定的间隔距离也大;外腔,连接于所述内腔外侧;排气通道,在竖直方向上排布于所述内腔的一侧的侧壁上,且穿过所述内腔的侧壁到所述外腔,使所述内腔与所述外腔连通;排气通道与多层晶圆卡块相间设置;机械泵,连接于所述外腔,用于使所述内腔中刻蚀残留气体平行流动并流经所述排气通道、沿所述外腔而排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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