[发明专利]高压MOS轻掺杂扩展区的制备工艺有效
| 申请号： | 201410654299.2 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105590863B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 袁辉 |
| 地址： | 201103 上海市闵行区合*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高压MOS中轻掺杂扩展区的制备工艺，包括：先在硅衬底上形成有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义有源区和隔离区；于前述有源区上形成光刻，刻蚀后注入掺杂剂形成低压MOS的掺杂阱于其中；于前述有源区上生长栅氧后进行多晶硅光刻，形成多晶硅栅极；于前述有源区上淀积氧化硅后，形成多晶硅侧墙；于前述有源区上进行轻掺杂漏极扩展区光刻，掺杂剂注入；以及进行热过程以同时进行多晶硅热退火和前述轻掺杂扩展区的热推进形成轻掺杂漏极扩展区。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 掺杂 扩展 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS轻掺杂扩展区的制备工艺，其特征在于：包括：先在硅衬底上形成有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义有源区和隔离区；于前述有源区上形成光刻，刻蚀后掺杂剂注入以形成低压MOS的掺杂阱于其中；于前述有源区上生长栅氧后进行多晶硅光刻，形成多晶硅栅极；于前述有源区上淀积氧化硅后，以刻蚀形成多晶硅侧墙；于前述有源区上进行轻掺杂漏极扩展区光刻，掺杂剂注入；所要实现的高压MOS指5V到15V的工作电压的高压MOS；所述的低压指3V到5V工作电压，工艺线宽范围在0.13μm到0.8μm；以及进行热过程以同时进行多晶硅热退火和前述轻掺杂扩展区的热推进形成轻掺杂漏极扩展区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
