[发明专利]一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法有效
| 申请号： | 201410653005.4 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105679339B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 谢亚丽;李润伟;詹清峰;刘宜伟;王保敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构，依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力，或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力，在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态；当磁场写入时控制应力使其处于铁磁状态，通过耦合作用降低磁性介质层的矫顽力，从而降低写入磁头的写入磁场，降低能耗；当磁场写入完毕后控制应力使变磁性材料处于反铁磁状态，磁性介质层的矫顽力恢复到原来的状态，从而增加存储密度，提高磁性存储器件的数据存储安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 辅助 磁存储器 制备 方法 以及 磁场 写入 | ||
【主权项】：
1.一种应力辅助磁存储器件，其特征是：具有多层膜结构，该多层膜结构包括：衬底层；变磁性材料层，所述变磁性材料层位于衬底层上，在应力作用下所述变磁性材料的磁性可在反铁磁性、铁磁性间发生转变；磁性介质层，所述磁性介质层位于变磁性材料层上，具有磁各向异性，用于进行磁性记录；所述磁性介质层与变磁性材料层之间具有耦合作用；保护层，所述保护层位于磁性介质层上，以保护所述磁性介质层；所述衬底为柔性衬底，在磁场写入时，柔性衬底受到形变发生装置作用而发生形变、产生应力，变磁性材料在该应力作用下从反铁磁性转变为铁磁性。
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