[发明专利]一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的分层电极及其连接工艺有效
| 申请号： | 201410647299.X | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104362249B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 鄢永高;邱思源;唐新峰;苏贤礼 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/20 | 分类号： | H01L35/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 唐万荣,张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的多层电极及其连接工艺，所述电极分为三层结构，依次为第一Ni‑Al合金层、第二Ni‑Al合金层以及单质Ag层。本发明所述多层电极与Mg‑Si‑Sn基热电元件具有良好的热匹配，能够减小界面热应力，提高服役寿命；具有很小的润湿角，可与导流片直接焊接；具有良好的电性质过渡，接触电阻小于Mg‑Si‑Sn基热电元件内阻的5％，连接Mg‑Si‑Sn基热电元件与多层电极的工艺简单而可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mg si sn 热电 元件 匹配 分层 电极 及其 连接 工艺 | ||
【主权项】：
一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的多层电极，其特征在于所述电极分为三层结构，依次为：第一Ni‑Al合金层、第二Ni‑Al合金层以及单质Ag层，并以第一Ni‑Al合金层作为与Mg‑Si‑Sn基热电元件的接触层；所述第一Ni‑Al合金层中Ni元素的质量百分含量为29%～39%，余量为Al元素；所述第二Ni‑Al合金层中Ni元素的质量百分含量为42%～59%，余量为Al元素，且，第二Ni‑Al合金层的原料粉体是由Ni单质和Al单质的混合粉体发生高温自蔓延反应得到的Ni‑Al合金粉体；所述第一Ni‑Al合金层的厚度为0.5～0.8mm，所述第二Ni‑Al合金层的厚度为0.1～0.2mm，所述单质Ag层的厚度为0.4～0.6mm。
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