[发明专利]半导体器件及用于形成半导体器件的方法有效
申请号: | 201410643163.1 | 申请日: | 2014-11-07 |
公开(公告)号: | CN104637965A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 川村武志 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件及用于形成半导体器件的方法。通过防止在形成了图像拾取器件的其像素中产生混色而改进了半导体器件的性能。在相邻像素之间的、作为用于分隔其中像素的相应滤色器相互分隔的区域中形成隔板壁。隔板壁均由折射率小于滤色器的绝缘体膜、以及被形成为覆盖绝缘体膜的侧壁并且折射率大于滤色器的绝缘体膜而构成。以此方式,可以防止照射进入每一个隔板壁的上表面中的光线侵入与壁相邻的像素。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体衬底;光电换能器,其形成在所述半导体衬底之上,并且接收光以产生信号电荷;以及多个隔板壁,其形成在所述光电换能器之上,其中在沿着所述半导体衬底的主表面的方向上彼此相邻的相邻隔板壁之间的区域是其中形成第一膜的第一区域,所述第一膜是透射将要照射进入所述光电换能器中的光的膜,其中每个所述隔板壁包括第二膜,以及形成在所述第一区域与所述第二膜的侧壁之间的第三膜,其中所述第三膜折射率大于所述第一膜,以及其中所述第一膜折射率大于所述第二膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的