[发明专利]半导体器件及用于形成半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201410643163.1 申请日: 2014-11-07
公开(公告)号: CN104637965A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 川村武志 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体器件及用于形成半导体器件的方法。通过防止在形成了图像拾取器件的其像素中产生混色而改进了半导体器件的性能。在相邻像素之间的、作为用于分隔其中像素的相应滤色器相互分隔的区域中形成隔板壁。隔板壁均由折射率小于滤色器的绝缘体膜、以及被形成为覆盖绝缘体膜的侧壁并且折射率大于滤色器的绝缘体膜而构成。以此方式,可以防止照射进入每一个隔板壁的上表面中的光线侵入与壁相邻的像素。
搜索关键词: 半导体器件 用于 形成 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体衬底;光电换能器,其形成在所述半导体衬底之上,并且接收光以产生信号电荷;以及多个隔板壁,其形成在所述光电换能器之上,其中在沿着所述半导体衬底的主表面的方向上彼此相邻的相邻隔板壁之间的区域是其中形成第一膜的第一区域,所述第一膜是透射将要照射进入所述光电换能器中的光的膜,其中每个所述隔板壁包括第二膜,以及形成在所述第一区域与所述第二膜的侧壁之间的第三膜,其中所述第三膜折射率大于所述第一膜,以及其中所述第一膜折射率大于所述第二膜。
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