[发明专利]一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201410641928.8 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104393140B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵桂娟;汪连山;杨少延;刘贵鹏;魏鸿源;焦春美;刘祥林;朱勤生;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。本发明还公开了一种制备高反射率的垂直结构发光二级管芯片的方法。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射率 垂直 结构 发光 二级 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，其特征在于，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、四层结构的高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：四层结构的高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和直接设置在所述金属反射层上的欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。
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