[发明专利]使用整体力偏压以便改进线性的力传感器有效
申请号: | 201410638343.0 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104634500B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | R.A.瓦德;I.本特利;J.D.佩奇;L.F.里克斯 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01L9/02 | 分类号: | G01L9/02;G01L19/06 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李晨;谭祐祥<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及使用整体力偏压以便改进线性的力传感器。设备和相关的方法涉及预加载力传感器,预加载力大于力阈值,该力阈值把传感器工作的非线性响应区与传感器工作的大体线性响应区分开。在说明性实施例中,总施加力包括预加载力和外施加力,预加载力被如此预定,使得对于正的外施加力,电信号响应是大体线性的,外施加力在与预加载力相加时不会超过最大力。在一些实施例中,外施加力可经由力传递构件被传递至力传感芯片。在示例性实施例中,具有预定弹簧系数的弹簧可施加预定预加载力至力传递构件。在示例性实施例中,可简单地通过使用增益和偏差修正来校准外施加正向力。 | ||
搜索关键词: | 整体 偏压 以便 改进 线性 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种力传感装置,所述力传感装置包括:/n封装基体,所述封装基体在顶表面上具有多个芯片连接垫,/n压敏电阻力传感芯片,所述压敏电阻力传感芯片具有薄中心区和多个电互连件,每个所述电互连件都电连接到所述封装基体的顶表面上的多个连接垫中的一个,/n力联接构件,所述力联接构件与所述压敏电阻力传感芯片的所述薄中心区机械接触,其中,所述压敏电阻力传感芯片的所述薄中心区响应于指向经过所述力联接构件并朝向所述压敏电阻力传感芯片的施加力而朝向所述封装基体的所述顶表面弹性地偏离,其中,所述压敏电阻力传感芯片响应于指向经过所述力联接构件并朝向所述压敏电阻力传感芯片的所述施加力而产生电信号,该响应性的电信号具有大体线性区和非线性区,其中,当所述施加力大于或等于区分力时,该响应性的电信号处于大体线性区,并且当所述施加力小于所述区分力时,该响应性的电信号处于非线性区;以及/n预加载装置,所述预加载装置施加指向朝向所述压敏电阻力传感芯片的预定力,所述预定力大于或等于所述区分力,/n其中,所述力联接构件包括胶体。/n
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