[发明专利]一种硅片的P扩散方法和太阳能电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种硅片的P扩散方法，将制绒后的硅片进行P扩散，在所述P扩散的过程中，依次进行第一升温、第一沉积、第一推进、第二升温、第二沉积、第二推进、第三升温、第三沉积、第三推进、降温和吸杂，通过上述分部沉积和推进过程，以及吸杂过程的进行，使得到的包含有PN结的硅片方阻均匀性提高，降低了表面浓度以及结深，从而有效提高了太阳能电池的转换效率。而且，本发明提供的方法不会降低现有的产线产量，具有较好的经济效益。

主权项

一种硅片的P扩散方法，包括以下步骤：将制绒后的硅片进行P扩散，所述P扩散具体包括：在包括N₂的气氛下，以第一升温速率进行第一升温，将P扩散环境温度升至第一温度，所述第一升温速率≥6℃/min，所述第一温度为800℃～820℃；在包括N₂、O₂和N₂‑POCl₃的气氛下，将制绒后的硅片在不高于所述第一温度的条件下，进行第一沉积；在包括N₂和O₂的气氛下，将所述第一沉积后的硅片在不高于所述第一温度的条件下，进行第一推进；在包括N₂的气氛下，以第二升温速率进行第二升温，将P扩散环境温度升至第二温度，所述第二升温速率≥6℃/min，所述第二温度为820℃～835℃；在包括N₂、O₂和N₂‑POCl₃的气氛下，将第一推进后的硅片在不高于所述第二温度的条件下，进行第二沉积；在包括N₂和O₂的气氛下，将所述第二沉积后的硅片在不高于所述第二温度的条件下，进行第二推进；在包括N₂的气氛下，以第三升温速率进行第三升温，将P扩散环境温度升至第三温度，所述第三升温速率≥6℃/min，所述第三温度为820℃～850℃；在包括N₂、O₂和N₂‑POCl₃的气氛下，将所述第二推进后的硅片在不高于所述第三温度的条件下，进行第三沉积；在包括N₂和O₂的气氛下，将所述第三沉积后的硅片在不高于所述第三温度的条件下，进行第三推进；完成所述第三推进后，在包括N₂的气氛下，将P扩散环境温度以第四速率降温至第四温度，所述第四速率≥6℃/min，所述第四温度为780℃～810℃；在不高于所述第四温度的条件下，将所述第三推进后的硅片在N₂气氛下吸杂，得到包含有PN结的硅片。