[发明专利]基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201410624040.3 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104518059A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法，外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层，所述量子阱层包括InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层，其特征在于，所述量子阱层上方生长有AlxGa(1-x)N覆盖层。本发明中能够更好把量子阱层中的In局限在一层极薄的薄膜中防止In的扩散，有效缓解因升温带来的In聚集效应，同时还能提高量子阱的晶体质量，提高量子阱中的发光效率和均匀性，从而提高亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 量子 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于GaN基量子阱的外延结构，所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层，所述量子阱层包括InxGa(1‑x)N势阱层和GaN势垒层，其特征在于，所述量子阱层上方生长有AlxGa(1‑x)N覆盖层。
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