[发明专利]一种超结器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种超结器件的制备方法，通过在N型漂移区顶部刻蚀形成沟槽后，在沟槽底部和侧壁制备一层P型外延层，之后进行离子注入将沟槽底部的P型外延层反型为N型外延层，之后再回填N型外延层将沟槽进行填充并进行退火处理，形成高深宽比的P柱和N柱。本发明不需要通过多次外延和离子注入工艺，也无需刻蚀形成刻蚀高深宽比的沟槽，有效减小了器件的晶胞尺寸并降低导通电阻，本发明工艺简单，成本较低。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供一具有第一导电类型的第一外延层，该外延层的顶部覆盖有一层保护层，对所述保护层和所述外延层进行部分刻蚀，以在保护层和第一外延层中形成若干间隔开的沟槽；步骤S2：在所述沟槽底部和侧壁制备一层具有第二导电类型的第二外延层，且使位于所述沟槽底部的至少部分第二外延层暴露在外；步骤S3：进行离子注入工艺，以将位于所述沟槽底部的至少部分第二外延层反型为第一导电类型；步骤S4：制备具有第一导电类型的第三外延层覆盖在所述第二外延层上表面，并将所述沟槽剩余部分完全填充；步骤S5：进行平坦化处理，使所述第三外延层与所述第二外延层的顶部高度齐平。