[发明专利]用于利用结构光测量半导体器件元件的物理特性的系统和方法在审
| 申请号： | 201410616244.2 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104515773A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | D·索德;Z·王;T·J·小科洛西莫;D·A·劳特;S-G·唐 | 申请（专利权）人： | 库利克和索夫工业公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01B11/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将结构光图案应用于半导体器件元件上的粘合剂材料；(2)利于相机创建所述结构光图案的图像；以及(3)分析所述结构光图案的图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。还提供了用于利用结构光来确定半导体器件和元件的物理特性的其它方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 结构 测量 半导体器件 元件 物理 特性 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种利用结构光来确定半导体器件元件上的粘合剂材料的物理特性的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将结构光图案应用到半导体器件元件的粘合剂材料上；(2)利用相机创建所述结构光图案的图像；以及(3)分析所述结构光图案的所述图像，以确定所述粘合剂材料的物理特性。
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