[发明专利]一种取向可控薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410614987.6 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104480426A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈清明;李兵兵;张斌;张辉 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;H01B12/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开一种取向可控薄膜的制备方法，属于超导薄膜技术领域；将纯相均一Nd1.85Ce0.15CuO4-δ靶材安装在已调整好的激光冲沉积的镀膜系统，并用激光轰靶表面以清洗靶材表面，然后将清洗好的LaAlO3（001）单晶衬底放入加热器上；用机械泵和分子泵抽真空后升温；升温结束后向镀膜腔内充入氧气；最后开启激光将靶材表层原子熔蒸出来镀在衬底表面，退火后得到Nd1.85Ce0.15CuO4-δ薄膜。本发明通过调节镀膜氧压，实现了NCCO薄膜取向的控制，此外本镀膜技术不需要使用氩气，且可在相对低的激光能量下合成Nd1.85Ce0.15CuO4-δ薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 可控 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种取向可控薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）将单相均一的Nd1.85Ce0.15CuO4‑δ靶材固定好后用激光轰靶表面以清洗靶材表面；（2）在真空度为10 X 10‑3~3.0 X 10‑3Pa的条件下将清洗好的LaAlO3单晶衬底用单晶硅加热器或电阻丝加热器加热到900～950℃，加热过程中继续抽真空，升温后真空度达到3.0 X 10‑3~2.0 X10‑4Pa；（3）然后通入氧气，用激光照射在靶上，将靶材表层原子熔蒸出来在衬底上生长成膜；（4）对步骤（3）中的薄膜在800~820℃，600~650℃和450~500℃下各退火10~15 min，得到Nd1.85Ce0.15CuO4‑δ薄膜，其中退火过程中压强为1 X 10‑3~1 X 10‑4 Pa。
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