[发明专利]沉积物去除方法及气体处理装置有效
申请号: | 201410614517.X | 申请日: | 2013-04-12 |
公开(公告)号: | CN104505333B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 田原慈;西村荣一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有加热基板并将该基板暴露于氧等离子体中的工序和循环处理工序,在该循环处理工序中,将基板暴露于氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛中,并且重复如下两个阶段将混合气体的全压设为第1全压或将醇类气体的分压设为醇类气体的第1分压的第1阶段,以及将混合气体的全压设为比第1全压低的第2全压或将醇类气体的分压设为比醇类气体的第1分压低的醇类气体的第2分压的第2阶段,在循环处理工序中,从与基板相对的区域向基板供给混合气体,并且来自包含基板的中央部的第1区域的混合气体的单位面积的供给量比来自第1区域的外侧的第2区域的混合气体的单位面积的供给量多。 | ||
搜索关键词: | 沉积物 去除 方法 气体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种沉积物去除方法,该沉积物去除方法用于去除已沉积于通过蚀刻形成于基板上的图案的表面的沉积物,其特征在于,该沉积物去除方法包括如下工序:氧等离子体处理工序,其在加热上述基板的同时将上述基板暴露于氧等离子体中;以及循环处理工序,其在上述氧等离子体处理工序之后,在处理室内将上述基板暴露于氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛中,并且多次循环重复如下两个阶段:将上述混合气体的全压设为第1全压或将上述醇类气体的分压设为醇类气体的第1分压的第1阶段,以及通过对处理室内进行排气而将上述混合气体的全压设为比第1全压低的第2全压或将上述醇类气体的分压设为比醇类气体的第1分压低的醇类气体的第2分压的第2阶段,在上述循环处理工序中,从与上述基板相对的区域向上述基板供给上述混合气体,并且来自第1区域的上述混合气体的单位面积的供给量比来自第2区域的上述混合气体的单位面积的供给量多,上述第1区域呈圆形,且包括上述基板的中央部、并具有比上述基板的直径小的直径,上述第2区域呈环状,且位于上述第1区域的外侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造