[发明专利]存储器单元和存储器器件有效

专利信息
申请号: 201410612370.0 申请日: 2014-11-04
公开(公告)号: CN104616693B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: A·卡萨格兰德 申请(专利权)人: 斯沃奇集团研究和开发有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 发明涉及存储器单元和存储器器件。存储器器件的存储器单元包括具有n型栅极和n型阱的MOS电容器(14;114)、第一开关(30;130),所述第一开关用以暂时地跨所述n型栅极和所述n型阱施加击穿电压(VM),以在所述n型栅极和所述n型阱之间生成永久性导电击穿结构(22)。
搜索关键词: 存储器 单元 器件
【主权项】:
1.一种存储器器件的存储器单元,所述存储器单元包括:‑具有n型栅极(16)和n型阱(18)的MOS电容器(14;114),‑与所述MOS电容器(14;114)串联的第一开关(30;130),所述第一开关用以暂时地跨所述n型栅极(16)和所述n型阱(18)施加击穿电压(VM),以在所述n型栅极(16)和所述n型阱(18)之间生成永久性导电击穿结构(22),进一步包括与另一开关(36;136)串联的电阻器(34;134),其中,所述电阻器(34;134)与所述另一开关(36;136)的串联连接与所述MOS电容器(14;114)并联连接,其中所述电阻器(34;134)和所述另一开关(36;136)之间的结点被连接到读出单元。
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