[发明专利]存储器单元和存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件的存储器单元，所述存储器单元包括：

-具有n型栅极(16)和n型阱(18)的MOS电容器(14；114)，

-与所述MOS电容器(14；114)串联的第一开关(30；130)，所述第一开关用以暂时地跨所述n型栅极(16)和所述n型阱(18)施加击穿电压(V_M)，以在所述n型栅极(16)和所述n型阱(18)之间生成永久性导电击穿结构(22)，

进一步包括与另一开关(36；136)串联的电阻器(34；134)，其中，所述电阻器(34；134)与所述另一开关(36；136)的串联连接与所述MOS电容器(14；114)并联连接，其中所述电阻器(34；134)和所述另一开关(36；136)之间的结点被连接到读出单元。

2.根据权利要求1的存储器单元，进一步包括第二开关(32；132)，所述第二开关用以将读出电压(VDD)施加到所述MOS电容器(14；114)。

3.根据权利要求1的存储器单元，其中，所述读出单元(40；140)通过所述电阻器(34；134)和所述另一开关(36；136)之间的所述结点可连接至所述MOS电容器(14；114)的n型栅极(16)。

4.根据权利要求2的存储器单元，其中，所述第二开关(32；132)可闭合以充电所述MOS电容器(14；114)。

5.根据权利要求4的存储器单元，其中，所述读出单元(40；140)能操作为在所述第二开关(32；132)已经被打开之后的预定时间(Δt)处取样所述MOS电容器(14；114)。

6.根据权利要求2的存储器单元，其中，仅当所述第一开关(30；130)为打开时，所述第二开关(32；132)为可闭合的。

7.根据权利要求1的存储器单元，其中，所述第一开关(30；130)包括串叠型开关。

8.根据权利要求1的存储器单元，其中，在所述存储器单元的写入操作期间，作为第三开关(36；136)的所述另一开关被耦合至所述第一开关(30；130)和/或其中所述第三开关(36；136)为可闭合的。

9.根据权利要求1的存储器单元，其中，所述MOS电容器(14)为薄氧化物电容器。

10.根据权利要求1的存储器单元，其中，所述存储器单元为一次性可编程的。

11.一种至少包括两个或更多根据权利要求1的存储器单元(10，100)的存储器器件。

12.一种在根据权利要求1的存储器单元中存储和读取至少1位的方法，其中，位的存储包括以下步骤：

-闭合与所述MOS电容器串联的第一开关(30)，以跨MOS电容器(14；114)的n型栅极(16)和n型阱(18)施加击穿电压(V_M)，其中，读出单元(40；140)通过所述电阻器(34；134)和用于保护所述读出单元(40；140)的所述另一开关(36；136)之间的所述结点可连接至所述MOS电容器(14；114)的n型栅极(16)。

13.根据权利要求12的方法，其中，从所述存储器单元(10，100)读取位包括以下步骤：

-将读出电压(VDD)施加至所述MOS电容器(14；114)，以充电所述MOS电容器(14；114)，

-将所述MOS电容器(14；114)与所述读出电压(VDD)断开，

-通过读出单元(40；140)，在已经将所述MOS电容器(14；114)与所述读出电压(VDD)断开后的预定时间(Δt)处，取样所述MOS电容器(14；114)。