[发明专利]基于对称周期的发光二极管封装方法以及LED封装体

摘要

本发明公开了一种基于对称周期的发光二极管封装方法以及LED封装体，该LED封装体，包括LED芯片以及覆盖在LED芯片上的封装胶体层，封装胶体层由周期数为T的高折射率封装胶层、低折射率封装胶层和高折射率封装胶层构成，封装胶体层的等效折射率、厚度为n、D，低折射率封装胶层的折射率、厚度为n1、d1，高折射率封装胶层的折射率、厚度为n2、d2，其中，n＝(n1×d1+n2×2×d2)/d1+2×d2；n2d2＝λ0/8；D＝T(d1+2d2)。该方法包括按照上述参数制备得到LED封装体。本发明基于对称膜系等效原理，将纳米封装层用一个对称周期薄膜代替，减少光在LED芯片与封装材料和封装材料与空气间的光损耗，提高LED的外量子效率。

主权项

一种LED封装体，包括LED芯片以及覆盖在所述LED芯片上的封装胶体层，其特征在于，所述的封装胶体层由周期数为T的对称周期膜层形成，所述的对称周期膜层由高折射率封装胶层、低折射率封装胶层和高折射率封装胶层构成，其中，所述的封装胶体层的等效折射率为n，所述的封装胶体层的厚度为D，所述的低折射率封装胶层的折射率为n1、厚度为d1，所述的高折射率封装胶层的折射率为n2、厚度为d2；所述的封装胶体层满足以下方程：n＝(n1×d1+n2×2×d2)/(d1+2×d2)                      ①；n2d2＝λ0/8                                           ②；D＝T(d1+2d2)                                         ③；λ0为LED芯片中心发光波长。