[发明专利]衬底刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410604591.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105632913B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张君;王春 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种衬底刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，同时对各个衬底及其上的掩膜进行刻蚀，直至外部衬底上的掩膜完全被消耗；第二主刻蚀步骤，仅对内部衬底上的掩膜进行刻蚀，以减少该掩膜的剩余厚度；过刻蚀步骤，继续同时对各个衬底及内部衬底上剩余的掩膜进行刻蚀，同时修饰衬底的沟槽形貌。本发明提供的衬底刻蚀方法，其可以使内部衬底的刻蚀高度与外部衬底的刻蚀高度一致，从而可以提高内部衬底与外部衬底之间刻蚀高度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底刻蚀方法，所述衬底的数量为多个，且由托盘承载，所述多个衬底包括排布在所述托盘的中心区域的内部衬底，以及排布在所述托盘的边缘区域的外部衬底；其特征在于，所述衬底刻蚀方法包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，同时对各个衬底及其上的掩膜进行刻蚀，直至所述外部衬底上的掩膜完全被消耗；第二主刻蚀步骤，仅对所述内部衬底上的掩膜进行刻蚀，以减少该掩膜的剩余厚度；过刻蚀步骤，继续同时对各个衬底及所述内部衬底上剩余的掩膜进行刻蚀，同时修饰衬底的沟槽形貌。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410604591.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在半导体衬底处理装置中均匀处理半导体衬底的注气法
- 下一篇：废水回用轧染长车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
