[发明专利]一种ZnO @ CdTe -羧基化C3N4光电DNA传感器的制备及其应用有效
| 申请号： | 201410601210.6 | 申请日： | 2014-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104297323A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 庞雪辉;吴丹;闫涛;范大伟;胡丽华;魏琴;任伟;王友英 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416;G01N27/327;G01N33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ZnO@CdTe-羧基化C3N4光电DNA传感器的制备及其应用，属于生物传感检测技术领域。基于ZnO@CdTe-羧基化C3N4复合物作为信标物质，可实现对实体组织目标DNA及其管家基因的定性、定量检测，具有设备简单、成本低、易于微型化的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno cdte 羧基 sub 光电 dna 传感器 制备 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种ZnO @ CdTe ‑羧基化C3N4光电DNA传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将1.0 cm×2.5 cm的长方形ITO导电玻璃，依次用丙酮、超纯水、乙醇超声清洗30 min，纯氮吹干，并将其作为工作电极，铂丝为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构成三电极电解池；（2）在ITO电极表面上，生长一层ZnO纳米棒；（3）将（2）制备的工作电极浸没在CdTe量子点溶液中，利用电流‑时间方法，电位为‑1.0 V，沉积时间为200~400 s，在工作电极表面的ZnO纳米棒上，沉积一层CdTe量子点，室温干燥；（4）滴涂5~20 µL的羧基化C3N4到（3）修饰的工作电极表面，4 ℃冰箱中晾干；（5）继续滴涂10~20 µL、5~50 µg/mL的目标DNA的上游引物或5~15µL、5~15 µg/mL管家DNA的上游引物到工作电极表面，4 ℃冰箱中晾干；（6）继续滴涂10~20 µL、5~50 µg/mL的目标DNA的下游引物或5~15µL、5~15 µg/mL管家DNA的下游引物到工作电极表面，4 ℃冰箱中晾干，制得一种ZnO @ CdTe ‑羧基化C3N4光电DNA传感器的制备。
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