[发明专利]一种提高芍药生长速度的栽培方法

摘要

本发明公开了一种提高芍药生长速度的栽培方法。芍药苗生长缓慢，第一年生长1-2片叶子，第二年生长见快，4-5年开花。针对目前存在的现状，本发明需要解决的技术问题是提供一种可以提高芍药苗生长速度的栽培方法，通过控制芍药苗的选种，分株时间及栽植深度、施肥等来解决以上技术问题。

主权项

一种提高芍药生长速度的栽培方法，其特征是采用以下办法：(1)土壤选择：选择中性或微酸性土壤为种植基地。(2)分株、栽植：在九月下旬至十月上旬进行分株，现将母株的根掘出，振落附土，晾晒半到一天，顺着芍药的自然分离处将根分开，每丛根带有3‑5个芽。根部切口最好涂以硫磺粉，以防病菌侵入，再晾1‑2天即可分别栽植。栽植前先对土壤进行深翻，施足基肥。露地栽植的芍药，株行距60‑80*45‑70cm以采药为主的芍药，应三年至五年分株一次。(3)施肥：应注意肥料的含氮量不可过高，以防枝叶徒长，生长期可适当增施磷钾肥，其施肥比例为N:P:K＝2：3‑4：2，以促使枝叶生长茁壮，开花美丽。(4)割杆封土：霜降以后，应减去枝干扫除枯叶，同时施冬肥，堆成8‑9cm的小土堆。(5)防虫病害：用1:80‑100福尔马林对土壤进行消毒。