[发明专利]一种背面抛光晶硅太阳能电池及其制备工艺有效
申请号: | 201410595054.7 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN104362209B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 秦崇德;方结彬;石强;黄玉平;何达能 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/056 | 分类号: | H01L31/056 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种背面抛光晶硅太阳能电池,包括背面电极、背面铝电场、背面抛光层、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极,所述背面电极、所述背面铝电场、所述背面抛光层、所述P型硅片、所述N型发射极、所述钝化膜和所述正面电极从下至上依次连接;所述背面抛光层为所述P型硅片的背面经过背面抛光处理生成的膜层,所述背面抛光层的背面为金字塔微结构阵列,所述金字塔微结构阵列为等距排列的若干个金字塔,所述金字塔的纵截面为倒三角形。本发明还公开了一种背面抛光晶硅太阳能电池的制备方法。采用本发明,可加强对透射光的反射,提升钝化效果,增加电流密度以及开路电压,进而提高了电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 抛光 太阳能电池 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种背面抛光晶硅太阳能电池,其特征在于,包括:背面电极、背面铝电场、背面抛光层、P型硅片、N型发射极、钝化膜和正面电极,所述背面电极、所述背面铝电场、所述背面抛光层、所述P型硅片、所述N型发射极、所述钝化膜和所述正面电极从下至上依次连接;所述背面抛光层为所述P型硅片的背面经过背面抛光处理生成的膜层,所述背面抛光层的背面为金字塔微结构阵列,所述金字塔微结构阵列为等距排列的若干个金字塔,所述金字塔的纵截面为倒三角形;所述背面抛光层是通过使用HF溶液去除所述N型发射极正面及所述P型硅片背面扩散过程中形成的磷硅玻璃层,后使用背面抛光溶液对所述P型硅片背面进行背面抛光制备而成的;所述背面抛光溶液为5%wt KOH溶液和CHX的混合溶液,混合比例为KOH溶液:CHX= 1:1~3;CHX为1,4‑环己二醇。
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