[发明专利]外腔相干垂直腔面发射半导体激光器在审
| 申请号： | 201410581905.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104319628A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 宁永强;李秀山;秦莉;贾鹏;张建伟;刘云;王立军;张星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06;H01S5/10 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 外腔相干垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中相干激光器结构复杂，可靠性差的技术问题。该激光器包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR的上表面边缘设有P面电极，P型DBR中设有具有多个氧化孔的氧化限制层；还包括由光栅和外腔组成的高对比度光栅，高对比度光栅遮挡所有出光孔及出光孔连接处；外腔的下表面固定在P型DBR的上表面上，外腔的光学厚度为二分之一波长的整数倍，外腔的材料为低折射率介质材料；光栅设定在外腔的上表面上，偏振方向平行或垂直于(110)晶向，光栅的材料为高折射率介质材料。该激光器能够实现偏振控制，且稳定性高、可靠性好。 | ||
| 搜索关键词： | 相干 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
外腔相干垂直腔面发射半导体激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR(4)、有源区(6)、N型DBR(7)、衬底(8)和N面电极(9)，所述P型DBR(4)的上表面边缘设有P面电极(3)；其特征在于，所述P型DBR(4)中设有具有多个氧化孔(51)的氧化限制层(5)；所述激光器还包括高对比度光栅，所述高对比度光栅遮挡所有出光孔及出光孔连接处，高对比度光栅由光栅(1)和外腔(2)组成；所述外腔(2)的下表面固定在P型DBR(4)的上表面上，外腔(2)的光学厚度为二分之一波长的整数倍，外腔(2)的材料为低折射率介质材料；所述光栅(1)设定在外腔(2)的上表面上，光栅(1)的偏振方向平行或垂直于(110)晶向，光栅(1)的材料为高折射率介质材料；所述高折射率介质材料的折射率为低折射率介质材料的折射率的两倍以上。
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