[发明专利]一种太阳帆航天器姿态控制方法无效

专利信息
申请号: 201410577955.3 申请日: 2014-10-24
公开(公告)号: CN104340380A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 左华平;冯煜东;王虎;王志民;杨淼;许旻;吴春华;王洁冰;赵印中;李林 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: B64G1/24 分类号: B64G1/24
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 付雷杰;杨志兵
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种太阳帆航天器姿态控制方法。使用本发明能够实现对航天器的姿态控制。本发明在航天器的太阳帆上表面的外边缘区域粘贴可变反射率柔性薄膜器件,通过控制可变反射率柔性薄膜器件的电压,从而改变可变反射率柔性薄膜器件的反射率,从而改变航天器太阳帆表面光压,产生差动力矩,从而实现对航天器的姿态控制。该姿态控制器件为薄膜型器件,更容易与太阳帆航天器集成,提高太阳帆的集成度,提升其可靠性,并且该姿态控制器件重量轻,能够极大减轻航天器重量,提高载荷比,大幅提升太阳帆姿态控制性能,且由于没有机械结构,可靠性高。
搜索关键词: 一种 太阳帆 航天器 姿态 控制 方法
【主权项】:
一种太阳帆航天器姿态控制方法,其特征在于,在航天器的太阳帆上表面的外边缘区域粘贴可变反射率柔性薄膜器件,通过控制可变反射率柔性薄膜器件的电压对太阳帆航天器进行姿态控制;其中,所述可变反射率薄膜器件由柔性薄膜基底和在柔性薄膜基底上依次沉积的高反射率导电层、电致变色层、离子导电层、离子储存层和透明导电层组成;其中,所述高反射率导电层的厚度为200nm~500nm,由铝或银制成;所述电致变色层的厚度为300nm~600nm,由氧化钨制成;所述离子导电层的厚度为200nm~400nm,由钽酸锂或铌酸锂制成;所述离子储存层的厚度为150nm~300nm,由氧化镍制成;所述透明导电层的厚度为50nm~90nm,由掺锡氧化铟或掺铝氧化锌制成。
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