[发明专利]在非易失性存储器处理纠错码的方法及非易失性存储装置在审
| 申请号： | 201410571642.7 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105206306A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗享;张家祯 | 申请（专利权）人： | 擎泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在非易失性存储器中处理纠错码(Error Correcting Code，ECC)的方法及非易失性存储装置，所述方法包括对一数据码执行一第一纠错操作，以产生一第一校验码；压缩所述第一校验码，以产生一压缩校验码；对所述压缩校验码执行一第二纠错操作，以产生一额外校验码；以及将所述数据码、所述压缩校验码及所述额外校验码写入所述非易失性存储器的一存储单元。通过上述方法，可提升非易失性存储器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 处理 纠错码 方法 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种在非易失性存储器处理纠错码的方法，包括：对一数据码执行一第一纠错操作，以产生一第一校验码；压缩所述第一校验码，以产生一压缩校验码；对所述压缩校验码执行一第二纠错操作，以产生一额外校验码；以及将所述数据码、所述压缩校验码及所述额外校验码写入所述非易失性存储器的一存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于擎泰科技股份有限公司，未经擎泰科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410571642.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：绝缘电线
- 下一篇：一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统
