[发明专利]具有带有永久磁体的磁传感器的装置有效
| 申请号： | 201410566291.0 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104597417B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | J·I·信;J·信 | 申请（专利权）人： | 应美盛有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/038 | 分类号： | G01R33/038;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有磁传感器的装置。所述装置包含具有装置层的衬底。磁传感器形成于装置层上并且包含第一永久磁体。所述第一永久磁体具有至少一个交替的铁磁(FM)层和反铁磁(AFM)层，其中缓冲层安置在FM层与AFM层之间。所述第一永久磁体在高于AFM层的阻挡温度的温度下在第一方向上被磁化。多个装置垫被耦接到磁传感器。集成电路衬底具有多个IC垫，其中所述多个装置垫在大于第一永久磁体的AFM层的阻挡温度的接合温度下选择性地共晶接合到所述多个IC垫。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 带有 永久 磁体 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，所述装置包括：衬底，所述衬底包含装置层；磁传感器，所述磁传感器形成于所述装置层上，所述磁传感器包含至少第一永久磁体，其中，所述第一永久磁体具有至少一个交替的铁磁层，即FM层，和反铁磁层，即AFM层，其中缓冲层安置在所述FM层与所述AFM层之间；并且所述第一永久磁体在高于所述第一永久磁体的所述AFM层的阻挡温度的温度下在第一方向上被磁化；多个装置垫，所述多个装置垫被耦接到所述磁传感器；以及集成电路衬底，所述集成电路衬底具有多个IC垫，其中所述多个装置垫在大于所述第一永久磁体的所述阻挡温度的接合温度下选择性地共晶接合到所述多个IC垫。
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