[发明专利]一种用于容器内壁镀膜的CVD反应室装置有效
申请号: | 201410565351.7 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104342636A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 吕建国;吕斌;张金云;叶欢;陈国安;朱恒伟;李文杰 | 申请(专利权)人: | 宁波正力药品包装有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟 |
地址: | 315033 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于容器内壁镀膜的CVD反应室装置,该装置包括容器支撑底座、下O型胶圈、容器置换架、上O型胶圈、容器以及导气管;容器支撑底座上分布有容器安装孔,容器安装孔底部及下部侧面设置有开口,分别为该装置的充气接口和抽气接口;导气管上部开有若干出气孔,安装后的导气管上开口与容器底部内壁留有间隙;使用时,下O型胶圈、容器置换架、上O型胶圈、倒置的容器从下到上依次套于导气管上并互相嵌合。本装置利用容器为反应室,并且使用导气管壁上的出气孔将反应气体导入容器内壁各处的方法,完成容器内壁上的均匀镀膜。本装置可使用在各种化学气相沉积设备中,如PECVD设备上,克服了在有一定曲度的容器内壁镀膜困难等技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 容器 内壁 镀膜 cvd 反应 装置 | ||
【主权项】:
一种用于容器内壁镀膜的CVD反应室装置,其特征在于:所述CVD反应室装置包括容器支撑底座(1),下O型胶圈(2),容器置换架(3),上O型胶圈(4),容器(5)以及导气管(6);容器支撑底座(1)上分布有容器安装孔(7),容器安装孔为一上大下小的孔,容器安装孔底部及下部侧面设置有开口,分别为所述CVD反应室装置的充气开口(8)和抽气开口(9);容器置换架(3)为中空的圆柱体;其中下O型胶圈(2)、容器置换架(3)、上O型胶圈(4)、倒置的容器(5)从下到上依次套于导气管(6)上并互相嵌合;导气管(6)上部开有若干出气孔(10),安装后的导气管(6)上开口与容器底部内壁留有间隙,导气管(6)下开口通过容器安装孔底部充气开口(8)与充气管(11)一端相联。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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