[发明专利]一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法在审
申请号: | 201410550775.6 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN105575837A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 操冬华;苏俊杰;胡胜发 | 申请(专利权)人: | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 曹志霞 |
地址: | 510663 广东省广州市萝岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法,通过在IC内部增设电子熔丝模块,并对电子熔丝模块进行读写操作以实现对IC的参考电压进行校准的方式,将现有的外部校准方案改成了内部校准方案,能够较大地降低IC设计、测试校准及生产制造的成本。本发明集成芯片参考电压校准方法包括:在IC验证测试阶段,根据电子熔断模块的工作需要,搭建好用于给IC内部校准参考电压的电路;S1、获取所述IC的外部校准参考电压;S2、将外部校准参考电压与理论标准值比较,得到调节值;S3、根据调节值及电子熔丝模块的档位校准关系得到电子熔丝模块内熔断位的档位组合值;S4、向电子熔丝模块写入档位组合值,完成对所述IC自身产生的参考电压的校准。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 芯片 参考 电压 校准 方法 装置 使用方法 | ||
【主权项】:
一种集成芯片参考电压校准装置,包括IC,其特征在于,还包括用于调节所述IC参考电压的电子熔丝模块;所述电子熔丝模块安装在所述IC内部;所述电子熔丝模块包括若干熔断位;所述若干熔断位的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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