[发明专利]EUV光源和曝光装置、校准装置和校准方法

摘要

一种EUV光源和曝光装置、校准装置和校准方法，所校准装置，包括位于辐射位置的发光体，发光体具有沿直线扫描方向排布的若干发光源，若干发光源适于向外依次发射光线；聚光镜载台，适于装载待校准的聚光镜，并驱动待校准的聚光镜旋转扫描，使得待校准的聚光镜的椭球型反射面收集发光源发射的光线，并将收集的光线反射汇聚于中心焦点；位于中心焦点处的阵列探测器，阵列探测器具有标准中心点，阵列探测器的标准中心点与中心焦点重合，所述阵列探测器适于检测聚光镜反射的光线，获得检测光斑，并判断检测光斑与标准中间点的位置差异。本发明校准装置能够对EUV光源的聚光镜的偏移量实现精确的校准，提高了EUV光源输出的极紫外光的功率。

主权项

一种EUV光源，其特征在于，包括：液滴阵列，所述液滴阵列包括沿直线扫描方向排布的若干喷嘴，若干喷嘴适于依次向下方的辐射位置喷吐液滴；激光源，适于产生激光束，并使激光束沿直线扫描方向扫描，依次轰击到达辐射位置的液滴，液滴受到激光束轰击时形成等离子体，等离子体辐射极紫外光；聚光器，所述聚光器包括聚光镜和与聚光镜连接的第一驱动装置，第一驱动装置适于驱动所述聚光镜旋转扫描，使得聚光镜收集辐射的极紫外光，并将收集的极紫外光汇聚于中心焦点，所述聚光镜具有椭球型的反射面，所述聚光镜包括沿旋转扫描方向分布的第一侧边缘区域、中间区域和第二侧边缘区域，第一侧边缘区域和第二侧边缘区域分别位于中间区域的两侧，所述第一侧边缘区域具有向椭球型内侧偏移的第一偏移量，第二侧边缘区域具有向椭球型外侧偏移的第二偏移量。