[发明专利]一种半导体激光器芯片焊接面表征方法及装置有效
申请号: | 201410538201.7 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN104267036A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 西安炬光科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710077 陕西省西安市高新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明设计了一种半导体激光器封装器件芯片焊接面表征方法及装置,该装置能够通过无损方法表征半导体激光器芯片焊接面存在的空洞,能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征,对于提高半导体激光器性能和焊接回流工艺,以及实现无空洞封装具有非常重要的现实意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 芯片 焊接 表征 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体激光器芯片焊接面表征方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)向半导体激光器提供脉冲电流,超过半导体激光器的阈值电流,使电流稳定在 I0;(2)采集半导体激光器各个发光单元的空间光谱S0,并记录每一个发光点的基准波长λ0;(3)向半导体激光器提供连续电流 I0;(4)采集半导体激光器各个发光单元的空间光谱S1,并记录每一个发光点的波长λ1;(5)比较S1和S0,即分别比较每一个发光单元的波长λ1和基准波长λ0之间的差值△λ,从而获得各个发光单元下方的连接界面空洞分布;(6)在确保电流大于半导体激光器阈值电流的前提下,改变电流值大小,重复步骤1~5,对所得结果进行加权平均,获得半导体激光器连接层界面空洞分布。
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