[发明专利]一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺

摘要

一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测。GaAs衬底作为衬底，承担载荷、散热等作用，生长在上面的外延层是缓冲层，正面电路包括GaAsHEMT器件、HBT器件、电容电阻等微波集成电路，再生长一层GaN钝化层即是为了保护表面电路，也是为Pt薄膜电阻提供缓冲作用。本发明的目的在于提供了一种解决GaAs基微波器件、微波单片集成电路热损毁问题的方法，该方法在晶圆上改善GaAs功率器件且可避免pHEMT、HBT功率放大器的热引起器件功率降低甚至烧毁。

主权项

一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，其特征在于：在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测；GaAs衬底(1)作为衬底，承担载荷、散热等作用，生长在上面的外延层(2)是缓冲层，正面电路(3)包括GaAsHEMT器件、HBT器件、电容电阻微波集成电路，再生长一层GaN钝化层(4)即是为了保护表面电路4，也是为Pt薄膜电阻(5)提供缓冲作用；具体工艺过程如下，S1.在晶圆表面制备一层GaN钝化层，同时这也是为Pt热敏电阻制备充当陶瓷衬底材料，由于GaN热阻相对稍高，因此此钝化层应足够薄，约为1um左右；S2.在陶瓷衬底上涂覆光之抗腐蚀胶，光刻出Pt热敏电阻微结构图形；S3.使用磁控溅射设备，沉积Pt金属薄膜，厚度约为0.3um左右；S4.在盐浴中去除光刻胶；S5.在300℃温度下退火处理，或进行快速高温退火处理，最后得到沉积在陶瓷衬底上的Pt金属微结构图形；S6.利用激光调阻设备调整Pt金属薄膜电阻阻值；S7.使用引线键合方式制作Pt薄膜热敏电阻的电极。