[发明专利]一种香港四照花组织培养方法

摘要

本发明植物组织培养技术领域，公开了一种香港四照花组织培养方法，包括前处理、初代培养、增殖培养、壮苗培养、生根培养基和移栽，控制外部条件为pH5.8～6.0，培养温度23～25℃，光照周期为8～10h/d，光照强度为1800～2000lux。本发明具有的有益效果：1.采用该培养方法培养，增殖系数高、生根率高，培养的植物具有优良的生长特性；2.本发明的培养方法可以短期内大量规模化生产，繁殖效率高。

主权项

一种香港四照花组织培养方法，其特征在于，包括以下步骤：①前处理：选取生长较整齐的香港四照花茎段，用无菌水冲洗干净后，切成0.7～0.8cm长的小段，②初代培养：将上述得到的小段用初代培养基进行诱导培养，PH5.8～6.0，培养温度23～25℃，光照周期为8～10h/d，光照强度为1800～2000lux，增殖培养周期为40～45天， 选取生长状态好、颜色浓绿的芽进入下一阶段；其中初代培养基包括：母培养基+蔗糖20000～35000 mg/L+卡拉胶6000～ 7000mg/L+6‑BA 3～4mg/L+NAA 0.1～0.2mg/L；③增殖培养：将诱导出来的健康小芽转入继代增殖培养基中进行增殖培养， PH5.8～6.0，培养温度23～25℃，光照周期为8～10h/d，光照强度为1800～2000lux，增殖培养周期为30～35天，待新芽高度长至3.5～4.0cm时，选取颜色正常，生长健壮的芽开始下一阶段；高度未达到3.5cm的芽单独取出，再次进行增殖培养；其中继代增殖培养基包括：母培养基+蔗糖20000～35000 mg/L+卡拉胶6000～ 7000mg/L+6‑BA 2～3mg/L+NAA 0.06～0.12mg/L；④壮苗培养：将增殖培养基中培养后的芽在壮苗培养基中进行培养30～35天，PH5.8～6.0，培养温度23～25℃，光照周期为8～10h/d，光照强度为1800～2000lux；其中壮苗培养基包括：母培养基+蔗糖20000～35000 mg/L+卡拉胶6000～ 7000mg/L+6‑BA 1～2mg/L+NAA 0.1～0.3mg/L，⑤生根培养：继续接种到生根培养基中进行生根培养，培养30～35天，PH5.8～6.0，培养温度23～25℃，光照周期为8～10h/d，光照强度为1800～2000lux，待根长至2.0～2.5cm时，开始下一阶段，生根率达到80%以上，其中生根培养基包括：母培养基+蔗糖20000mg/L+卡拉胶6000～ 7000mg/L+ IBA 0.2～1mg/L+NAA 0.1～0.3mg/L，⑥移栽：将长高至3～5cm、生根了的培养苗根部洗净后移植于含有砻糠灰与黄心土体积比为1:1的营养杯中，放置大棚内，控制培养温度25～28℃，保持相对湿度 85％～95％，前期用遮阳网遮阴处理20d，后逐渐除去遮阳网，成活后全光照。