[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410519579.2 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529398B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 徐懋腾 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层、多个存储单元及内连线结构。介电层设置于基底上。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一电极、第二电极及可变电阻结构。第二电极设置于第一电极上。可变电阻结构设置于第一电极与第二电极之间。在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的存储单元的第一电极与位于下方的存储单元的第二电极设置于相邻的可变电阻结构之间且彼此隔离。内连线结构设置于介电层中且将存储单元的第一电极进行连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器，包括：基底；多个介电层，设置于该基底上；多个存储单元，垂直相邻地设置，其中各该存储单元分别设置于该多个介电层中的各个不同的两个介电层中，且各该存储单元包括：第一电极，设置于该两个介电层中的一个介电层中；第二电极，设置于该第一电极上；以及可变电阻结构，设置于该第一电极与该第二电极之间，且该第二电极和该可变电阻结构设置于该两个介电层中的另一个介电层中，其中在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的该存储单元的该第一电极与位于下方的该存储单元的该第二电极设置于相邻的该些可变电阻结构之间且彼此隔离；以及内连线结构，设置于该多个介电层中且将该些存储单元的该些第一电极进行连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶科技股份有限公司，未经力晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410519579.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
