[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器，包括：

基底；

多个介电层，设置于该基底上；

多个存储单元，垂直相邻地设置，其中各该存储单元分别设置于该多个介电层中的各个不同的两个介电层中，且各该存储单元包括：

第一电极，设置于该两个介电层中的一个介电层中；

第二电极，设置于该第一电极上；以及

可变电阻结构，设置于该第一电极与该第二电极之间，且该第二电极和该可变电阻结构设置于该两个介电层中的另一个介电层中，其中

在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的该存储单元的该第一电极与位于下方的该存储单元的该第二电极设置于相邻的该些可变电阻结构之间且彼此隔离；以及

内连线结构，设置于该多个介电层中且将该些存储单元的该些第一电极进行连接。

2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该可变电阻结构包括一可变电阻层。

3.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其中该可变电阻层的材料包括一金属氧化物。

4.如权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其中该金属氧化物包括氧化铪、氧化镁、氧化镍、氧化铌、氧化钛、氧化铝、氧化钒、氧化钨、氧化锌或氧化钴。

5.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其中该可变电阻结构还包括一绝缘层，与该可变电阻层堆叠设置。

6.如权利要求5所述的电阻式随机存取存储器，其中该绝缘层的材料包括氧化物。

7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中该些第一电极为该内连线结构的一部分。

8.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，还包括晶体管，设置于该基底上，且该晶体管的一端子与该内连线结构进行连接。

9.一种电阻式随机存取存储器的制造方法，包括：

在一基底上形成多个介电层；

在该多个介电层中形成多个存储单元，该些存储单元垂直相邻地设置，且各该存储单元分别设置于该多个介电层中的各个不同的两个介电层中，且各该存储单元包括：

第一电极，设置于该两个介电层中的一个介电层中；

第二电极，设置于该第一电极上；以及

可变电阻结构，设置于该第一电极与该第二电极之间，且该第二电极和该可变电阻结构设置于该两个介电层中的另一个介电层中，其中

在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的该存储单元的该第一电极与位于下方的该存储单元的该第二电极设置于相邻的该些可变电阻结构之间且彼此隔离；以及

在该多个介电层中形成一内连线结构，该内连线结构将该些存储单元的该些第一电极进行连接。

10.如权利要求9所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中该多个介电层的形成方法包括化学气相沉积法。

11.如权利要求9所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中该些第一电极的形成方法包括金属镶嵌法。

12.如权利要求9所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中各该可变电阻结构与各该第二电极的形成方法包括：

在该另一个介电层中形成一开口；

在该开口中形成共形的一可变电阻材料层；

形成填满该开口的一导体材料层；以及

移除该开口以外的该导体材料层与该可变电阻材料层。

13.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中该开口的形成方法包括对该另一个介电层进行图案化制作工艺。

14.如权利要求12所述的电阻式随机存取存储器的制造方法，其中该可变电阻材料层的形成方法包括化学气相沉积法。