[发明专利]高密度封装基板孔上盘产品及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高密度封装基板孔上盘产品及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：烘板、制作定位孔、激光钻孔、微蚀、沉铜、图形转移、电镀填孔、退膜蚀刻即得所述高密度封装基板孔上盘产品。本发明利用薄铜基板保护膜层的作用，克服了以往薄铜加工过程中底部铜箔贯通问题，在薄铜基板上制作出完整的半贯通孔结构；同时该技术利用直接激光加工技术，不影响铜箔厚度，与MSAP工艺很好的匹配，可制作出具有高平整度孔上盘结构的高密度Flip-chip产品。

主权项

一种高密度封装基板孔上盘产品的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：烘板：将薄铜基板进行烘烤，所述薄铜基板的厚度为≤0.1mm，所述薄铜基板的铜箔表面粘覆有保护膜层；制作定位孔：在所述薄铜基板的非功能区域制作至少一组定位通孔；激光钻孔：移除所述薄铜基板一侧的保护膜层，露出激光加工区域，采用激光进行钻孔操作，形成半贯通孔，所述半贯通孔的深度为薄铜基板一侧的铜箔的厚度与薄铜基板介质层的厚度的总和；微蚀：将激光钻孔后的薄铜基板进行蚀刻操作；沉铜：移除所述薄铜基板另一侧的保护膜层，然后进行全板沉铜操作；图形转移：将全板沉铜后的线路板进行贴干膜、曝光显影操作，露出电镀区域和所述半贯通孔；电镀填孔：将图形转移后的线路板进行电镀铜操作，使所述半贯通孔中填满铜；退膜蚀刻：将进行电镀铜操作后的线路板进行退膜、蚀刻操作，然后再进行后工序制作即得所述高密度封装基板孔上盘产品。