[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410505488.3 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105514041B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅极层，所述栅极层表面具有掩膜层；在靠近所述栅极层顶部的侧壁表面形成保护层，所述保护层与所述掩膜层相接触；在所述保护层表面以及栅极层的侧壁表面形成侧墙；在所述侧墙、保护层和栅极层两侧的衬底内形成应力层。所形成的晶体管形貌良好、性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅极层，所述栅极层表面具有掩膜层；在所述衬底表面形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述栅极层的侧壁表面，且所述牺牲层的表面低于所述栅极层的顶部表面；在所述牺牲层表面、高于牺牲层的栅极层侧壁表面、以及掩膜层表面形成保护膜；回刻蚀所述保护膜直至暴露出所述牺牲层表面以及掩膜层的顶部表面为止，在高于牺牲层的栅极层侧壁表面、以及掩膜层侧壁表面形成所述保护层；在形成所述保护层之后，去除所述牺牲层；在所述保护层表面以及栅极层的侧壁表面形成侧墙；在所述侧墙、保护层和栅极层两侧的衬底内形成应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
