[发明专利]转矩转位传感器有效
| 申请号： | 201410504792.6 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104515635B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李昌焕 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | G01L3/00 | 分类号： | G01L3/00;G01P3/44;G01P15/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 董敏,郎志涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施方式的一种转矩转位传感器，包括转子，该转子随第一轴转动，该第一轴为输入轴和输出轴中的一者，转子在其外周表面上具有第一磁体；定子，该定子设置在第一磁体的外侧上并且随第二轴转动，该第二轴为输入轴和输出轴中的另一者；屏蔽件，该屏蔽件设置在定子的下侧上并且随第二轴转动；以及第二磁体，该第二磁体与屏蔽件的下侧相结合并且随第二轴转动。转矩转位传感器屏蔽磁场干扰并且提高了操作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 转矩 传感器 | ||
【主权项】：
一种转矩转位传感器，包括：转子，所述转子随第一轴转动，所述第一轴为输入轴和输出轴中的一者，所述转子在其外周表面上具有第一磁体；定子，所述定子设置在所述第一磁体的外侧上并且随第二轴转动，所述第二轴为所述输入轴和所述输出轴中的另一者；屏蔽件，所述屏蔽件设置在所述定子的下侧上并且随所述第二轴转动；以及第二磁体，所述第二磁体与所述屏蔽件的下侧相结合并且随所述第二轴转动，其中，所述屏蔽件包括：环形的屏蔽构件，所述环形的屏蔽构件具有与所述第二磁体相结合的下侧；以及支承件，所述支承件从所述屏蔽构件的下侧突出并且支承所述第二磁体，其中，所述环形的屏蔽构件设置在所述第二磁体的上表面上和所述第二磁体的侧向侧表面上，其中，所述屏蔽构件包括铁磁材料。
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