[发明专利]转矩转位传感器有效
| 申请号: | 201410504792.6 | 申请日: | 2014-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN104515635B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
| 发明(设计)人: | 李昌焕 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | G01L3/00 | 分类号: | G01L3/00;G01P3/44;G01P15/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 董敏,郎志涛 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 转矩 传感器 | ||
1.一种转矩转位传感器,包括:
转子,所述转子随第一轴转动,所述第一轴为输入轴和输出轴中的一者,所述转子在其外周表面上具有第一磁体;
定子,所述定子设置在所述第一磁体的外侧上并且随第二轴转动,所述第二轴为所述输入轴和所述输出轴中的另一者;
屏蔽件,所述屏蔽件设置在所述定子的下侧上并且随所述第二轴转动;以及
第二磁体,所述第二磁体与所述屏蔽件的下侧相结合并且随所述第二轴转动,
其中,所述屏蔽件包括:
环形的屏蔽构件,所述环形的屏蔽构件具有与所述第二磁体相结合的下侧;以及
支承件,所述支承件从所述屏蔽构件的下侧突出并且支承所述第二磁体,
其中,所述环形的屏蔽构件设置在所述第二磁体的上表面上和所述第二磁体的侧向侧表面上,
其中,所述屏蔽构件包括铁磁材料。
2.根据权利要求1所述的转矩转位传感器,其中,所述屏蔽构件的外径等于或大于由所述第二磁体形成的圆的外径。
3.根据权利要求1所述的转矩转位传感器,其中,所述屏蔽构件具有0.2mm或更大的厚度。
4.根据权利要求1所述的转矩转位传感器,其中,所述支承件包括:
第一支承钩部,所述第一支承钩部呈环形并且支承所述第二磁体的内径侧;以及
至少一个第二钩部,所述至少一个第二钩部从所述第一支承钩部突出以支承所述第二磁体的两侧中的至少一侧。
5.根据权利要求1所述的转矩转位传感器,还包括固定单元,所述固定单元设置在所述屏蔽构件上并且与所述定子相结合。
6.根据权利要求5所述的转矩转位传感器,其中,所述固定单元包括至少一个联接突出部,所述至少一个联接突出部固定地插入至形成在所述定子的下侧上的联接凹槽中。
7.一种转矩转位传感器,包括:
转子,所述转子随第一轴转动并且在所述转子的外周表面上具有第一磁体,所述第一轴为输入轴和输出轴中的一者;以及
定子,所述定子随第二轴转动,所述第二轴为所述输入轴和所述输出轴中的另一者,并且所述定子包括齿部、模制构件以及连接至所述第二轴的保持器,
其中,
所述齿部设置成与所述第一磁体的外侧间隔开;
所述模制构件插入至所述齿部中以固定所述齿部,所述模制构件具有与所述保持器的外周表面相结合的下侧并且具有形成在所述模制构件的下表面上的环形的凹槽;
在所述凹槽中设置有第二磁体;以及
在所述凹槽与所述第二磁体的上表面之间设置有环形的屏蔽构件。
8.根据权利要求7所述的转矩转位传感器,其中,所述屏蔽构件在所述凹槽与所述第二磁体的外径侧之间延伸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410504792.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





