[发明专利]一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410504100.8 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104299988B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 侍铭;陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/43;H01L21/33 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及制作方法。所述方法包括衬底；背电极，其制作在衬底的背面；平面冷阴极，其制作在衬底的正面；第一绝缘层，其制作在平面冷阴极上；栅层，其制作在第一绝缘层上；第二绝缘层，其制作在氧化铟锡薄膜栅层上；圆柱型小孔，其贯穿第一绝缘层、栅层和第二绝缘层而形成；栅层台阶，其是通过刻蚀第二绝缘层到栅层形成的；阳极层，其制作在第二绝缘层上；其中，所述第一绝缘层、氧化铟锡薄膜栅层、第二绝缘层的总厚度在10‑100纳米之间。本发明克服了尖端结构电子发射密度不均匀、尖端容易损坏的缺陷，同时氮化铝材料所具有的负电子亲和势特性又弥补了平面型阴极需要更高阈值电场强度的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 平面 发射 阴极 纳米 真空 三极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管，其特征在于，包括：衬底；背电极，其制作在衬底的背面；平面冷阴极，其制作在衬底的正面；第一绝缘层，其制作在平面冷阴极上；栅层，其制作在第一绝缘层上；第二绝缘层，其制作在氧化铟锡薄膜栅层上；圆柱型小孔，其贯穿第一绝缘层、栅层和第二绝缘层而形成；栅层台阶，其是通过刻蚀第二绝缘层到栅层形成的；阳极层，其制作在第二绝缘层上；其中，所述第一绝缘层、氧化铟锡薄膜栅层、第二绝缘层的总厚度在10‑100纳米之间；平面冷阴极采用外延生长的氮化铝薄膜。
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