[发明专利]一种低压环境退火去除基底材料表面附着杂质的方法在审
| 申请号： | 201410500844.2 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104269348A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 孙栋;邱俊 | 申请（专利权）人： | 安庆美晶新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 246008 安徽省安庆市安庆经济技术开发*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低压环境退火去除基底材料表面附着杂质的方法，该方法包括：将样品放入退火炉中并抽真空后，通入保护气体并维持保护气体气压，开启退火炉升温至退火温度并维持一定时间后，降温至室温后放真空，取出样品。目前，大部分剥离单原子层样品和CVD单原子层样品在实验中所沾染的杂质都是胶体或者油性杂质，在低压保护气环境下，选择合适的温度对附有样品的基底材料进行退火，可以使胶体、油污等杂质产生变性或变成气态，可以使杂质脱离基底表面，并且同时基本不影响样品本身的性质和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 环境 退火 去除 基底 材料 表面 附着 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种低压环境退火去除基底材料表面附着杂质的方法，该方法包括：将样品放入退火炉中并抽真空后，通入保护气体并维持保护气体气压，开启退火炉升温至退火温度并维持一定时间后，降温至室温后放真空，取出样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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