[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201410498497.4 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104300005A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 孙雯雯 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的半导体层和绝缘层，其中，所述绝缘层采用无机绝缘材料形成，所述绝缘层和所述半导体层之间、且与所述绝缘层对应的区域设置有修饰层，所述修饰层采用有机脂肪族硅烷材料形成。该薄膜晶体管绝缘层表面更加平坦，具有较小表面缺陷态或基本无表面缺陷态，从而具有较高迁移率和开关比的特性，具有较佳性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层采用无机绝缘材料形成，所述绝缘层和所述半导体层之间、且与所述绝缘层对应的区域设置有修饰层，所述修饰层采用有机脂肪族硅烷材料形成。
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