[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层采用无机绝缘材料形成，所述绝缘层和所述半导体层之间、且与所述绝缘层对应的区域设置有修饰层，所述修饰层采用有机脂肪族硅烷材料形成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层采用含有硅原子的材料形成，所述修饰层采用含有氯原子的硅烷偶联剂形成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层为采用二氧化硅或氮化硅形成的单层或叠层结构，所述修饰层为采用十四烷基三氯硅烷、十六烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷或二十烷基三氯硅烷形成的薄膜结构。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，形成所述修饰层的材料的相对介电常数的范围为2.5-3.5。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述修饰层的厚度范围为50-300nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述修饰层采用涂覆方式成膜。

7.根据权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管从下至上依次为所述栅极、所述绝缘层、所述修饰层、所述半导体层以及同层设置的所述源极和所述漏极；

或者，所述薄膜晶体管从下至上依次为同层设置的所述源极和所述漏极、所述半导体层、所述修饰层、所述绝缘层以及所述栅极。

8.根据权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积法成膜，所述半导体层采用等离子体增强化学气相沉积法成膜，所述栅极采用磁控溅射法形成，所述源极和所述漏极采用磁控溅射法沉积法成膜。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。