[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410488417.7 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104241349B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 孟航;李冰华;江兴川;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区和MOS区，所述P型集电区的底端设置作为集电极引出的电极，所述P型集电区的上方依次为所述N型隧道掺杂区、所述N型阻挡层、所述N型漂移区和所述MOS区；所述P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；所述N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带，费米能级到导带的能量差小于费米能级到价带的能量差；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。
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