[发明专利]一种表面形貌可调的纳米多孔CdZnO薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410486603.7 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN104328381B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 田野;刘大博;罗飞;成波;刘勇 申请(专利权)人: 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 中国航空专利中心11008 代理人: 李建英
地址: 100095*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及半导体纳米能源材料、催化材料、传感材料、光电转换材料等领域,具体涉及一种可应用于染料敏化太阳电池光阳极、反应催化载体、传感探测器件敏感介质、可见电致发光器件活性层等领域的一种表面形貌可调的纳米多孔CdZnO薄膜及其制备方法。本发明利用CdZnO陶瓷靶材在衬底上溅射沉积成膜,之后将沉积的薄膜进行高温退火处理,制备出了具有不同表面结构的纳米多孔CdZnO薄膜。通过调节靶材中的Cd掺杂量,实现了薄膜的表面多孔形貌的可调控,其孔洞平均宽度从几十纳米到微米级可调节。其方法无需模板的辅助,操作简单可控,对衬底的形状以及材料无特殊要求,为CdZnO纳米多孔薄膜材料提供了一种低成本、短周期、可工业化实施的新技术。
搜索关键词: 一种 表面 形貌 可调 纳米 多孔 cdzno 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种表面形貌可调的纳米多孔CdZnO薄膜的制备方法,其特征在于:(1)利用磁控溅射工艺,采用CdZnO陶瓷靶材作为溅射源,CdZnO陶瓷靶材中Cd的掺杂量以摩尔含量计为10%或30%,在清洗过的衬底片上沉积0.05~2μm厚的CdZnO薄膜;(2)在空气下600℃或1100℃温度范围内为对沉积的CdZnO薄膜进行退火处理,热处理时间1小时,随后取出自然冷却,得到的CdZnO薄膜表面形貌为纳米多孔结构,孔洞呈“沟壑”状分布,并且相互贯通。
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