[发明专利]一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构

摘要

本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。

主权项

一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A、提供衬底，在所述衬底上依次生长包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜；B、在所述LED薄膜上依次沉积反射接触层、阻挡层、稀释保护层、回熔层和第一键合层；所述回熔层为熔点小于400℃的低熔点的金属或合金；C、提供基板，在所述基板的正面依次沉积基板正面保护层、第二键合层，在基板的反面依次沉积基板反面保护层、接触层；D、在所述第一键合层和/或第二键合层上沉积中间层，所述中间层的熔点小于回熔层的熔点；E、采用晶圆热压键合方法通过中间层、第一键合层和第二键合层将LED薄膜与基板绑定在一起，所述晶圆热压键合的温度低于回熔层的熔点；F、去除所述衬底，完成薄膜转移，使LED薄膜倒置在基板上；G、将步骤F得到的所述LED薄膜和基板的粘接体进行退火处理，使回熔层熔化，以释放应力；H、退火处理后，再进行N型层表面粗化、去边、钝化、欧姆电极制备，制得垂直结构的LED薄膜芯片。