[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410461146.6 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105405887A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁;黄杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底表面的外延层、位于外延层中的器件区和位于所述外延层表面的下沉层，其中：衬底中与外延层相接触且正对于下沉层的区域设置有埋层，该埋层的杂质浓度高于衬底中的杂质浓度；位于外延层中，围绕下沉层和埋层外围分别设置有第一扩散区和第二扩散区；所述第一扩散区分别与第二扩散区和器件区的源区相互接触；其中，所述下沉层、埋层，第一扩散区与第二扩散区中的杂质导电类型相同。本发明实施例有效解决了现有技术中制造如射频-横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其在进行下沉层高温驱入时浓掺杂衬底中杂质上扩导致有效外延层厚度减小，进而使器件击穿电压下降的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底表面的外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述外延层表面的下沉层，其中：所述衬底中与所述外延层相接触且正对于所述下沉层的区域设置有埋层，所述埋层的杂质浓度高于所述衬底中的杂质浓度；位于所述外延层中，围绕所述下沉层和所述埋层外围分别设置有第一扩散区和第二扩散区；所述第一扩散区分别与所述第二扩散区和所述器件区的源区相互接触；其中，所述下沉层、所述埋层，所述第一扩散区与所述第二扩散区中的杂质导电类型相同。
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