[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201410459780.6 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105470136B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;马小龙;张严波;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙为掩模，执行轻掺杂离子注入，在栅极侧墙沿第一方向的两侧鳍片中形成源漏延伸区，其中，离子注入方向不仅相对于垂直方向具有垂直倾角，还相对于第一方向具有水平倾角；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整倾斜离子注入方向与鳍片结构之间的水平夹角，有效控制LDD/SDE结构的均匀性以及横向结深，提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙为掩模，执行轻掺杂离子注入，在栅极侧墙沿第一方向的两侧鳍片中形成源漏延伸区，其中，离子注入方向不仅相对于垂直方向具有垂直倾角，还相对于第一方向具有水平倾角，以垂直方向为轴线，旋转离子注入方向并且同时调整水平倾角的大小，以使得源漏延伸区沿第一方向的结深不同；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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